[ P-WELL通信 ] のウェブ検索結果 （約4,290,000件1-10件を表示）[1145msec]
www.p-well.com/
【サイト閉鎖のお知らせ】1997年の開設以来、広く皆様にご利用頂いてきた当サイトですが、諸般の事情により、2009年5月1日（金）をもって閉鎖させて頂くこととなりまし ...
etre.co.jp/profile/
ペットプロモーション事業に進出、自社媒体「P-WELL通信」発刊。 平成7年9月, 本社大阪事業部を現在地（大阪市中央区平野町）に移転。 平成10年9月, 東京オフィスを ...
CMOSロジックICの基本構造 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社
toshiba.semicon-storage.com/jp/semico...
（P-Well)を設ける 。 P-well上にN-chのMOSFETを形成。N- Substrate上にP-chのMOSFETを形成。プロセスによってはP型基板上にN-well ... 無線通信用IC表示 · インターフェース ...
petland-himeji.com/media/
P-WELL 通信 1996年4月号に掲載されました。 MORE · 月刊TOWNはりま. 月刊TOWNはりま 1994年7月号に ...
ieice-hbkb.org/files/10/10gun_02hen_0...
同一シリコン基板上に nMOS と pMOS を直列接続した CMOS を形成するために，nMOS. になる部分に p-well を，pMOS になる部分に n-well を形成する．露光工程により ...
iroha.scitech.lib.keio.ac.jp:8080/sig...
この p ウエル抵抗はウエル給電 (Well tap)に接続される。メモリセル Cell_0 の ... 報通信学会誌集積回路研究会、ICD96-31, pp. 21-28, (5 月 23 日、. 1996 年 )、金沢.
低雑音センサインターフェース回路に向けた JFET 混載 CMOS 技術
www.jstage.jst.go.jp/article/ieejsmas...
p-well CMOS の断面構造を示している。JFET 素子の ... ーで P イオンを 1×1013 [cm-2]のドーズ量でイオン注入して ... 情報通信学会，応用物理学会会員。博士（工学 ...
低電圧SRAMのためのDynamic Leakage Cut-off設計法
www28.cs.kobe-u.ac.jp/~kawapy/publica...
社団法人 電子情報通信学会. THE INSTITUTE OF ... and P-well bias voltage are dynamically changed to VDD and Vss respectively for selected ... 図2はn ウェル用ウェル ...
東芝がオン抵抗43％低減のSiC MOSFET、2022年8月に量産開始
xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/0...
2022/08/04 ... 図3 第3世代品（右）で2つの工夫. 1つ目はSiC MOSFETのp型の広い拡散領域（p-well）の下側に窒素を注入したこと。 ... 英情報通信庁がミリ波をオークション ...
ラッチアップ対策 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 日本
toshiba.semicon-storage.com/jp/semico...
N-ch MOSFET側のP‐Wellには、NPNトランジスターQ2、P-ch MOSFET側のN‐SubstrateにはPNPトランジスターQ1がおのおの形成され、その他、端子間には寄生抵抗Rs,Rwが存在します ...